公司新闻

先进电子材料项目启动了北京大学、清华大学等14个单位,共同开发第三代半导体氮化物

发布日期:2019-09-25 09:35
作者:幸运赛车

  文摘:10月18日,北京大学、清华大学等14个单位!联合开展;了氮化物、半导体新结构材料和新功能设备研究项。目。本项目是战略先进&#;电子材料研发项目的重点.

  2018年10月18日!,北!京大&#;学作为领导单位。清华大学中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等14个单位联合开展了氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究项目。

  战略先进电子材料的实施周期为5年(2016-2020年)。根据第三代。半导体材料和半导体照明新显示的大功率激光&#;材料和设备的高端;光电子和、微电子材料,共部署了35项研究任务。计划在20&#;18年开展5项研究,项目。

  据报道,氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究项目围绕后摩尔信息。领域对光电子和电子设备的需求。对基于氮化物半导体的新结构材料和新功能设备进行了研究。突破了氮化物半导;体的零维量子点、一维量子线!和二维量子夹及其复合结构。深入!研究低维量子结构中载流子的运输/运输/运输/运行及其、监管法。开发了单光,子源紫外红外双色;探测器泰赫兹发射和探测设备和自旋场效应晶体管装置,形成独立知识产权的核心技术。为第三代半导体材料和;设备的连续发展奠定了,基矗

  第三代半导体材料和相关设备芯片由氮化镓(GaN)碳化硅(S、ic)代表。具有禁带宽突破电场强度高、饱和。电子迁移率高、热导率高、介电常数孝抗辐射!能力强等优点。广泛应用于新能源汽车轨道交通智能电网、新一代移动消费电子等领域。它被认为是支持能源、交通信息、国防,等行业发展的核心技术。郝悦院士说,氮化物材&#;料系统的总体发展是非常好的。首先,幸运赛车它在光电LED领域取得了巨大的成功,微波电子设备领域开,始得到广泛的&#;应用。特别是在移动、通信和国防领域(雷达电子对抗通信等)。然而,由于我国。对SiCGaN材料和设备的研究较晚,与!国外相比仍存在差距。迫切需要,改进SiC和,GaN材料的准备和质量。

幸运赛车

Copyright © 2020 幸运赛车技术研发中心 版权所有

公司地址:江西省乐平市鲁南化工市场A-94号

联系电话:0661-5305411 备案号桂ICP备62351847号-1